VS-70HFR80M
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | VS-70HFR80M |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GP REV 800V 70A DO203AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $22.01 |
10+ | $20.224 |
100+ | $17.0803 |
500+ | $16.3112 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 220 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard, Reverse Polarity |
Supplier Device-Gehäuse | DO-203AB (DO-5) |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | DO-203AB, DO-5, Stud |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 180°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Strom - Richt (Io) | 70A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | 70HFR80 |
VS-70HFR80M Einzelheiten PDF [English] | VS-70HFR80M PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB
DIODE GP REV 600V 70A DO203AB
IGBT 600V 96A 378W MTP
BRIDGE RECT 3P 1.4KV 70A MT-K
DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB
DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB
DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB
MOD IGBT 1200V 70A 3-PHASE MTP
DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB
DIODE GP REV 400V 70A DO203AB
DIODE MODULE 1KV MTK
IGBT 600V 100A 347W MTP
IGBT MODULE 600V 96A 378W MTP
BRIDGE RECT 3P 1.2KV 70A MT-K
BRIDGE RECT 3PHASE 1KV 70A MT-K
DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB
DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB
MOD IGBT 1400V 70A 3-PHASE MTP
IGBT MODULE 600V 100A 347W MTP
DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() VS-70HFR80MVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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